三星5nm EUV工艺关键突破：能效提升25％

三星5nm EUV工艺关键突破：能效提升25％

眼下，台积电和三星都在全力冲刺5nm工艺，这将是7nm之后的又一个重要节点，全面应用EUV极紫外光刻技术，提升效果会非常明显，所以都受到了高度重视。

现在，三星的5nm取得了重要进展，来自EDA(电子自动化设计)巨头Cadence、Synopsys的全流程设计工具已经通过了三星5LPE(LowPowerEarly)工艺的认证，可以帮助芯片厂更快速地开发高效的、可预测的芯片。

本次验证使用的是ARMCortex-A57、Cortex-A53芯片，结果完全符合三星新工艺的需求，但是三星未透露更具体的指标，如核心数、频率、功耗等。

三星5LPE工艺仍然使用传统FinFET立体晶体管，但加入了新的标准单元架构，并同时使用DUV、EUV光刻技步进扫描系统。

由于继承了旧工艺的部分指标，使用三星5LPE工艺设计芯片的时候，可以重复使用7LPPIP，同时享受新工艺的提升。

三星7LPP工艺将是其第一次导入EUV，但只有少数光刻层使用，5LPE会扩大使用范围，效果更加明显。

按照三星的说法，5LPE工艺相比于7LPP工艺可以带来25％的逻辑电路能效提升，同时可将功耗降低20％，或者将性能提升10％。