SK海力士1Ynm DDR4芯片研制完成：8Gb容量、功耗减少15%

SK海力士1Ynm DDR4芯片研制完成：8Gb容量、功耗减少15%

11月12日消息，SKHynix（SK海力士）宣布研发完成基于1Ynm工艺的8Gb（1GB）容量DDR4DRAM芯片。

该芯片最高支持3200Mbps，即3200MHz频率，号称可以提供最佳的性能和容量密度。

技术指标方面，相较于1Xnm，1Ynm芯片的生产率提高了20%，功耗降低了15%。

SK海力士还表示，新的1Ynm芯片还显著提高了传感器精准度、调整了晶体管结构，使得数据传输的出错率降低。

官方称，1YnmDDR4DRAM芯片将于明年一季度出货，率先用于服务器和PC产品上，最后向手机等领域推广。

科普：

在存储芯片从20+nm进入10+nm工艺之后，厂商对工艺的描述已经不再使用具体的数字了，20nm之后是1xnm工艺，再往后则是1ynm工艺，还有1znm工艺的说法，至于XYZ具体的含义，由于每家公司的工艺并不一样，所以缺少详细的解释。