3nm弯道超车台积电之后 三星2nm工艺蓄势待发：3年后量产

3nm弯道超车台积电之后 三星2nm工艺蓄势待发：3年后量产

在6月最后一天，三星宣布3nm工艺正式量产，这一次三星终于领先台积电率先量产新一代工艺，而且是弯道超车，后者的3nm今年下半年才会量产。

根据三星官方介绍，在3nm芯片上，其放弃了之前的FinFET架构，采用了新的GAA晶体管架构，大幅改善了芯片的功耗表现。

与5nm相比，新开发的3nmGAE工艺能够降低45%的功耗，减少16%的面积，并同时提升23%的性能。

第二代的3nmGAP工艺可以降低50%的功耗，提升30%的性能，同时面积减少35%，效果更好。

再往后呢？三星也有了计划，3nmGAP工艺之后就会迎来2nmGAP工艺，也是基于纳米片技术的GAA晶体管，但是结构进一步优化，从3个纳米片提升到4个，可以提高驱动电流，同时还会优化堆叠结构以提升性能，降低功耗。

2nmGAP工艺的量产时间也定了，预计在2025年量产，时间点跟台积电量产2nm工艺差不多，而且很可能在技术上领先后者，因为台积电的2nm工艺在晶体管密度上挤牙膏，提升只有10%。