Intel 144层QLC闪存被曝完成开发 PLC闪存规划中

Intel 144层QLC闪存被曝完成开发 PLC闪存规划中

最近几个月NAND闪存的价格又开始转跌了，厂商目前的主力是96层3D闪存，很快就要转向新一代100+层堆栈了。在96层之后，Intel的144层QLC闪存现在已经完成开发，预计下半年量产，同时还在规划新的PLC闪存。

144闪存是Intel第四代3D闪存，此前三代分别是32层、64层、96层，这也是Intel与美光分手之后独立开发的新一代闪存，去年就已经曝光，将继续使用传统的FG浮栅极技术，该技术制造难度略高，但Intel简称其可靠性更好，比其他厂商的使用的CTP电荷肼技术更好一些。

根据最新消息，Intel的144层QLC闪存已经完成开发，预计今年下半年正式量产，核心容量依然是1024Gbit，从这一点上看跟96层QLC闪存的1024Gbit核心容量相比没变化，不确定内部改进如何。

144层QLC闪存预计很快就会用于消费级及企业级SSD硬盘中，2018年也是Intel/美光率先量产了第一代QLC闪存，用于660P、P1等SSD硬盘中。

按照之前的规划，今年底开始量产144层QLC闪存，预计2021年的SSD产品线就会全面转向144层QLC闪存了，这将会进一步降低闪存的成本，提高容量。

除了QLC闪存之外，Intel还在开发PLC闪存，也就是5bit/cell，它理论上的容量比QLC闪存提升25%，进一步提高容量并降低存储成本，但是PLC闪存更复杂，可靠性及性能都会下降，一直争议不断，目前还没有一家NAND厂商宣布量产PLC的。