7.4GB s速度 忆联发布数据中心级SSD：E3.S版容量超15TB

7.4GB s速度 忆联发布数据中心级SSD：E3.S版容量超15TB

12月26日消息，国产存储品牌忆联发布了面向数据中心市场的高性能NVMe硬盘UH711a以及UH711aE3.S，使用了自研主控及长江存储128层的3D闪存，速度超过7.4GB/s，E3.S版UH711a容量则可以达到15.36TB。

该系列SSD能为数据库、块存储、虚拟化、云主机等应用提供高性能的存储方案，帮助用户获得更优的TCO。

据忆联介绍UH711a支持高速PCIEGen4接口，针对数据中心级业务场景及负载WorkloadIO模型，在各类场景可提供全面的性能优化能力，产品顺序读写性能高达7200/4500MB/s，随机读写性能高达1700/230KIOPS。

同时，针对互联网典型应用场景，采用软化架构设计，并优化IO路径DB、FSP、HAS和LDPC等硬件资源配置，提升后端NAND颗粒并发效率，保障互联网典型应用场景盘片性能。

UH711a通过使能SR-IOV技术优化云业务虚拟机场景，相比SPDK方案优势显著。

SR-IOV2.0进一步优化了Nand物理层隔离度，VF间的性能隔离度更好，随着隔离度的提高在纯读写及混合场景下分别优化到了3%和5%，目前忆联SR-IOV性能及隔离度已达业界第一。

UH711a采用全新K-mean智能聚类算法，提供更精细的数据类型识别颗粒度，进一步提高GC时的效率，使SSD系统性能最大可提升20%。

通过在盘片内部将2种数据写入不同的流，降低盘片的写放大系数，提升全生命周期的稳态性能以及保障产品生命周期后期阶段的可靠性。

此外，UH711a还支持DIF、NS管理等OCP2.0规范，不仅与系统配合实现端到端的保护，也能在盘内实现独立的端到端的保护机制，确保盘内整个通路的数据安全，从而为数据中心在多种极端场景下的正常运维提供双重保护。

依托忆联强大的自主封测技术，UH711a通过使能自封TLC介质，在不牺牲性能及可靠性的前提下大幅度降低介质应用成本，充分挖掘介质的原生潜力，提供更好的IO性能。

E3.S作为面向云服务、企业数据中心的NVMeSSD新形态标准，凭借扩展性更强，以及优化了整体效能等优势，已成为数据中心SSD未来发展方向。

忆联推出的UH711aE3.S形态，外形尺寸方面，长112.75mm、宽76mm、厚度为7.5mm，单盘容量最高达15.36TB，支持NVMe1.4。

使用新形态后，产品顺序读写性能高达7200/4400MB/s，随机读写性能高达1700/240KIOPS。

该系列产品将于2023年实现量产。