国产Longsys DDR5内存横空出世！多项实测数据首次公开

2020年7月中旬JEDEC固态存储协会正式发布DDR5SDRAM内存标准规范后，DDR5新技术应用受到业内的关注以及专业领域的探索。

江波龙电子今天正式发布LongsysDDR5内存模组产品（ES1）。涉及两款全新架构产品原型，分别是1Rankx8和2Rankx8标准型PCUnbufferedDIMM288PINOn-die-ECC。相较于DDR4，DDR5在功能和性能上都得到了显著提升。

此外，部分测试数据首次面向公众公开。其中，展示的测试实例采用了IntelAlderLake-SADP-SCRB开发板，搭配LongsysDDR532GB6400内存模组，并配置Windows10Prox64操作系统，分别通过鲁大师和AIDA64两个熟知的软件展示DDR5的真实数据。

（通过BIOS了解到DDR5新架构采用了两个完全独立的32位通道）

1、鲁大师测试数据

首先呈现的是硬件配置，内存识别为LongsysID。

通过鲁大师测试，LongsysDDR532GB6400的跑分高达19万分有余。

2、AIDA64测试数据

通过测试，能够获取到LongsysDDR532GB6400读/写/拷贝/延迟的性能跑分。

为了更加直观地体现性能的提升力度，还加入了DDR4的测试对比。根据数据显示，LongsysDDR5在性能上实现了跨越式提升。

纠错能力增加

在优化DDR5DRAM内核运算能力上，LongsysDDR5增加内置纠错码（ECC），全面实现数据纠错能力，进一步提高数据完整性，同时也缓解了系统错误校正负担并充分利用DRAM读写的高效机制。

增加16n的预取模式

BL16使得LongsysDDR5内存的并发性在DDR4的基础上提升了一倍，信号能够更完整高效地传递。本次DDR5DIMM新架构采用了两个完全独立的32位通道，提高了并发性，并使系统中可用的内存通道增加了一倍。

端到端的接收模式的强化

在DDR5新技术应用中除了DQ/DQS/DM继续采用ODT功能，增加CA、CS类信号也使用了ODT。因此，LongsysDDR5内存进一步减少了信号脉冲的反射干扰效应，让信号传输更加纯净。

DDR5BankGroup翻倍

DDR5内存使BankGroup的数量增加了一倍，并且每个Group的Bank数量保持不变。LongsysDDR5BG提供更少的访问延迟，加倍提高了系统的整体效率，允许更多页面同时被打开。

SAME-BANKRefresh刷新模式

LongsysDDR5根据标准还实现了一个新特性，称为SAME-BANKRefresh（同步刷新）。此命令允许刷新每个BG中的一个Bank，使所有其他Banks保持打开状态以继续正常操作。

未来的应用场景不断革新和进步，对存储技术提出了更严苛的要求，亦大大加速了DDR5发展进程，各大主流平台对于DDR5的支持也推进迅速。

据悉，Intel方面预计今年第三季度就有支持DDR5的平台上市。而驱动DRAM内存市场向DDR5升级的动力来自对带宽有强烈需求的专业应用领域，比如服务器、云计算、数据中心、高性能计算机等应用领域均有望得到重点部署，此次迭代也为行业客户提供了更出色的内存解决方案。

截止2021年3月12日，Longsys申请专利总数达到838个，其中境外专利申请178项；已授权且维持有效专利411项、其中境外授权且维持有效专利83项；软件著作权65项。

据悉，今年Longsys内存产品线仍将精益求精，持续提供更多的DDR5产品规格和技术服务。